¿Qué es igbt?

El IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada, en inglés) es un dispositivo semiconductor utilizado como interruptor electrónico en aplicaciones de alta potencia y alta tensión. Combina las características del transistor bipolar y el transistor de efecto de campo (FET), ofreciendo una mayor eficiencia y capacidad de conmutación en comparación con otros dispositivos de potencia.

El IGBT es capaz de manejar grandes corrientes y tensiones, y se utiliza en una amplia gama de aplicaciones como sistemas de transmisión y distribución de energía, convertidores de energía renovable, sistemas de tracción de vehículos eléctricos, inversores de frecuencia en motores eléctricos, fuentes de alimentación de conmutación, entre otros.

El funcionamiento del IGBT se basa en la combinación de un transistor bipolar de potencia en la etapa de conmutación y un transistor de efecto de campo en la etapa de conducción. La puerta del IGBT controla el flujo de corriente entre el colector y el emisor, permitiendo la conmutación rápida y eficiente.

Entre las principales ventajas del IGBT se encuentran su alta densidad de potencia, alta eficiencia y capacidad de conmutación rápida. Sin embargo, también tiene algunas limitaciones, como la pérdida de potencia en la etapa de conmutación (debido a la corriente de base), y la necesidad de circuitos de protección y refrigeración adecuados debido a la generación de calor durante su operación.

En resumen, el IGBT es un dispositivo semiconductor ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia y alta tensión, ofreciendo una combinación única de características del transistor bipolar y el FET. Su capacidad para manejar grandes corrientes y tensiones, junto con su alta eficiencia y capacidad de conmutación rápida, lo hace indispensable en numerosos sistemas y equipos electrónicos de potencia.